[发明专利]新型石墨烯/半导体多结级联太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 201310058784.9 | 申请日: | 2013-02-25 |
公开(公告)号: | CN103107229A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 于淑珍;董建荣;李奎龙;孙玉润;赵勇明;赵春雨;杨辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L31/078 | 分类号: | H01L31/078;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 孙东风;王锋 |
地址: | 215125 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种新型石墨烯/半导体多结级联太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括依次键合串联的倒装PN结型多结电池、金属纳米粒子以及肖特基单结电池,其中单结电池包括导电衬底及设于导电衬底一端面的石墨烯膜,而金属纳米粒子分别与前述多结电池中远离衬底的欧姆接触层和石墨烯膜形成欧姆接触;其制备工艺包括:将前述多结电池、金属纳米粒子及单结电池依次键合串联,再去除多结电池的衬底,并制作顶、底电极。本发明采用肖特基结单结电池代替PN结型电池,可以简化制作工艺、降低成本,而采用金属纳米粒子可使晶片主要依靠范德华力结合,键合所需压力低,避免直接键合工艺引起的电池性能退化,并降低键合界面的串联电阻,进一步提高太阳电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 新型 石墨 半导体 级联 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种新型石墨烯/半导体多结级联太阳电池,其特征在于,包括依次键合串联的剥离衬底的倒装PN结型多结电池、金属纳米粒子以及肖特基单结电池,其中,所述肖特基单结电池包括导电衬底及覆设于所述导电衬底一端面上的石墨烯膜,而所述金属纳米粒子分别与所述倒装PN结型多结电池中远离被剥离衬底的第一欧姆接触层和所述石墨烯膜形成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的