[发明专利]TFT阵列基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201310057631.2 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103165530A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 舒适;惠官宝;叶腾;姜春生;盖翠丽 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 韩国胜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于显示技术领域，公开了一种TFT阵列基板及其制造方法、显示装置，仅通过一次构图工艺形成钝化层过孔的图案，然后在该构图工艺的光刻胶剥离过程中形成遮光片的图案，克服了阵列基板的构图工艺中由于曝光量过大对薄膜晶体管有源层的损坏，大大降低了在阵列基板上形成彩色滤光片的成本，保证了TFT的特性，进而不会影响显示装置的显示品质。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在一衬底基板上形成薄膜晶体管；S2、在完成步骤S1的衬底基板上形成钝化层薄膜；S3、在完成步骤S2的衬底基板上形成包括钝化层过孔和遮光片的图案；S4、在完成步骤S3的衬底基板上形成彩色滤光片图案和像素电极图案，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述薄膜晶体管的漏电极电连接，所述彩色滤光片与所述像素电极的位置对应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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