[发明专利]阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 201310046310.2 | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN103137557A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 许宗义 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法。本发明公开了一种阵列基板的制造方法，包括：于基板上形成源极、漏极、驱动电极和第一电容电极；形成第一介电层，覆盖源极、漏极、驱动电极和第一电容电极，第一介电层包括第一区域和覆盖驱动电极、厚度大于第一区域的第二区域；于第一介电层的第一区域上形成第二电容电极，第二电容电极、第一电容电极以及其间的第一介电层形成第一电容。通过上述方式，采用本发明阵列基板的显示装置能够取得良好的封胶效果。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一基板；于所述基板上形成源极、漏极、驱动电极和第一电容电极；形成第一介电层，所述第一介电层覆盖所述源极、所述漏极、所述驱动电极和所述第一电容电极，所述第一介电层包括覆盖所述第一电容电极的第一区域和覆盖所述驱动电极的第二区域，所述第二区域的厚度大于所述第一区域的厚度，所述第二区域用于在其上形成玻璃熔胶；于所述第一介电层的所述第一区域上形成第二电容电极，所述第二电容电极、所述第一电容电极以及其间的所述第一介电层形成第一电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
