[发明专利]晶圆劈裂位置测定方法及系统有效
申请号: | 201310037611.9 | 申请日: | 2013-01-30 |
公开(公告)号: | CN103972120B | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 陈孟端 | 申请(专利权)人: | 正恩科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;G01B11/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 余刚,李静 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明为一种晶圆劈裂位置测定方法及系统,其系统包含全景取像装置、劈裂装置、标准片与控制元件,而其方法包含步骤A建立取像坐标体系,使该全景取像装置建立取像坐标体系;步骤B建立劈裂坐标体系使该劈裂装置建立劈裂坐标体系;步骤C建立转换函数,使该标准片轮流置于该全景取像装置处与该劈裂装置处,并通过该控制元件建立该取像坐标体系与该劈裂坐标体系的转换函数;步骤D轮廓取像,于该全景取像装置取得待劈裂晶圆的轮廓取像坐标;步骤E转换坐标,为通过该控制元件依据该转换函数,将该轮廓取像坐标转换为一劈裂边缘坐标。据此,通过全景取像装置取得该轮廓取像坐标,再依据该转换函数的转换,即可快速取得该劈裂边缘坐标。 | ||
搜索关键词: | 劈裂 位置 测定 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种晶圆劈裂位置测定方法,其特征在于,包含:步骤A:建立取像坐标体系,其中,使一全景取像装置建立一取像坐标体系,所述全景取像装置用于采集一物件的一外观轮廓,并取得所述外观轮廓的一取像坐标;步骤B:建立劈裂坐标体系,其中,使一劈裂装置建立一劈裂坐标体系,所述劈裂装置具有一图像采集元件,所述图像采集元件用于采集所述物件的一细部图像,并取得所述细部图像的一劈裂坐标;步骤C:建立转换函数,其中,使一标准片轮流置于所述全景取像装置处与所述劈裂装置处,所述标准片具有一已知尺寸的外观轮廓与已知位置坐标的两个参考点,通过所述全景取像装置采集所述标准片的所述外观轮廓,取得所述标准片的一参考取像坐标;又通过所述图像采集元件采集所述标准片的所述两个参考点,分别取得所述两个参考点的一参考劈裂坐标;最后通过一控制元件,依据所述标准片的所述外观轮廓的尺寸与所述两个参考点的位置坐标、所述参考取像坐标与所述参考劈裂坐标,而建立所述取像坐标体系与所述劈裂坐标体系的一转换函数;步骤D:轮廓取像,其中,于所述全景取像装置处取得一待劈裂晶圆的一轮廓取像坐标;步骤E:转换坐标,其中,通过所述控制元件依据所述转换函数,将所述轮廓取像坐标转换为一劈裂边缘坐标。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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