[发明专利]一种肖特基二极管势垒高度的提取方法

摘要

本发明公开了种肖特基二极管势垒高度的提取方法。通过测量肖特基二极管的反向I-V特性曲线，以(-V)^1/4为横坐标，以ln|I|为纵坐标，在一段负偏压区间内外推曲线与纵轴相交，截距为C，得到零偏压下肖特基二极管的势垒高度为本发明的技术方案可以忽略二极管寄生电阻对提取方法的影响，尤其适合寄生电阻较大、势垒高度较小的肖特基二极管势垒高度的提取。

主权项

1.一种肖特基二极管势垒高度的提取方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）测量肖特基二极管的反向I-V特性曲线；（2）以(-V)^1/4为横坐标，以ln|I|为纵坐标，在一段负偏压区间内外推曲线与纵轴相交，截距为C；（3）得到零偏压下肖特基二极管的势垒高度为其中，是零偏压肖特基二极管势垒高度，单位为eV（电子伏特）；k是波尔兹曼常数，取1.38×10^-23J/K（焦耳/开)；T是样品测试时的绝对温度，单位为K（开）；q是电子电荷，取1.6×10^-19C（库仑）；A是肖特基二极管的面积，单位为μm²（平方微米）；A*是理查德森常数，n型硅衬底，取理查德森常数A*=112A/cm²K²（安培/平方厘米*平方开），p型硅衬底，取A*=32A/cm²K²（安培/平方厘米*平方开）。