[发明专利]NAND闪存写数据处理方法和装置有效
| 申请号： | 201310030922.2 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103064755A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 彭刚 | 申请（专利权）人： | 珠海全志科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/07 | 分类号： | G06F11/07;G06F12/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李双皓;陈振 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NAND闪存写数据处理方法和装置。该方法包括如下步骤：设置MLC NAND闪存LSB逻辑物理映射模式，将一个逻辑块映射到多个物理块，并将逻辑块上的逻辑页映射到各个物理块上的LSB page上，所述多个物理块作为LSB类型物理块；在MLC NAND闪存进行逻辑数据更新时，利用LSB逻辑物理映射模式将所述逻辑块中的逻辑数据分配给LSB类型物理块，建立LSB逻辑物理对应关系；在更新LSB page的过程中断电、重新上电时，扫描检测最后访问的物理块是否存在数据错误，并根据扫描检测结果对更新数据重新进行处理。其有效地防止了写断电造成NAND闪存物理数据串扰（Cross talk）破坏。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 数据处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种NAND闪存写数据处理方法，其特征在于，包括如下步骤：设置MLC NAND闪存LSB逻辑物理映射模式，将一个逻辑块映射到多个物理块，并将逻辑块上的逻辑页映射到各个物理块上的LSB page上，所述多个物理块作为LSB类型物理块；在MLC NAND闪存进行逻辑数据更新时，利用所述LSB逻辑物理映射模式将所述逻辑块中的逻辑数据分配给LSB类型物理块，建立LSB逻辑物理对应关系；在更新LSB page的过程中断电、重新上电时，扫描检测最后访问的物理块是否存在数据错误，并根据扫描检测结果对更新数据重新进行处理。
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