[发明专利]应用石墨烯作为导热层的倒装结构发光二极管无效

专利信息
申请号: 201310030351.2 申请日: 2013-01-25
公开(公告)号: CN103066195A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 李智;张逸韵;程滟;赵勇兵;刘志强;伊晓燕;王国宏 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L33/64 分类号: H01L33/64;H01L33/48
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种应用石墨烯作为导热层的倒装结构发光二极管,包括:衬底,该衬底上下表面均覆盖有绝缘层,绝缘层表面各有一层金属线层;LED芯片,该LED芯片由下至上依次包括外延衬底、成核层、电子注入层、发光层和空穴注入层,以及对空穴注入层、发光层和电子注入层进行部分刻蚀后在空穴注入层之上形成的p电极和在电子注入层之上形成的n电极;该LED芯片在剥离完外延衬底后倒装键合在所述衬底上,该LED芯片的p电极和n电极与所述衬底上表面的金属线层相连接;以及导热层,形成于该LED芯片在剥离完外延衬底后的成核层之上。本发明利用石墨烯优越的导电性能,使得部分热量可以经由石墨烯导热层传递到衬底上,增加了器件的导热通道,提高了散热效果。
搜索关键词: 应用 石墨 作为 导热 倒装 结构 发光二极管
【主权项】:
一种应用石墨烯作为导热层的倒装结构发光二极管,其特征在于,包括:衬底,该衬底上下表面均覆盖有绝缘层,绝缘层表面各有一层金属线层,上下两层金属线层之间由填充着导电解质的孔洞相连;LED芯片,该LED芯片由下至上依次包括外延衬底、成核层、电子注入层、发光层和空穴注入层,以及对空穴注入层、发光层和电子注入层进行部分刻蚀后在空穴注入层之上形成的p电极和在电子注入层之上形成的n电极;该LED芯片在剥离完外延衬底后倒装键合在所述衬底上,该LED芯片的p电极和n电极与所述衬底上表面的金属线层相连接;以及导热层,形成于该LED芯片在剥离完外延衬底后的成核层之上。
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