[发明专利]黑电平校正(BLC)结构有效

专利信息
申请号: 201310028371.6 申请日: 2013-01-24
公开(公告)号: CN103794613A 公开(公告)日: 2014-05-14
发明(设计)人: 张简旭珂;郑志成;简荣亮 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 本文提供了用于形成黑电平校正(BLC)结构的一种或多种技术。在一些实施例中,BLC结构包括第一区域、位于至少一部分第一区域之上的第二区域以及位于至少一部分第二区域之上的第三区域。例如,第一区域包括硅,以及第三区域包括钝化电介质。在一些实施例中,第二区域包括第一子区域、位于第一子区域之上的第二子区域以及位于第二子区域之上的第三子区域。例如,第一子区域包括金属硅化物,第二子区域包括金属以及第三子区域包括金属氧化物。例如,以此方式提供了BLC结构,使得BLC结构的表面齐平,这至少是因为第三区域齐平。
搜索关键词: 电平 校正 blc 结构
【主权项】:
一种黑电平校正(BLC)结构,包括:第一区域,包括硅;第二区域,包括:第一子区域,包括金属硅化物,至少一部分所述第一子区域位于至少一部分所述第一区域之上;第二子区域,包括金属,至少一部分所述第二子区域位于至少一部分所述第一子区域之上;和第三子区域,包括金属氧化物,至少一部分所述第三子区域位于至少一部分所述第二子区域之上;以及第三区域,包括钝化电介质,至少一部分所述第三区域位于至少一部分所述第二区域之上。
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