[发明专利]黑电平校正(BLC)结构有效
申请号: | 201310028371.6 | 申请日: | 2013-01-24 |
公开(公告)号: | CN103794613A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 张简旭珂;郑志成;简荣亮 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本文提供了用于形成黑电平校正(BLC)结构的一种或多种技术。在一些实施例中,BLC结构包括第一区域、位于至少一部分第一区域之上的第二区域以及位于至少一部分第二区域之上的第三区域。例如,第一区域包括硅,以及第三区域包括钝化电介质。在一些实施例中,第二区域包括第一子区域、位于第一子区域之上的第二子区域以及位于第二子区域之上的第三子区域。例如,第一子区域包括金属硅化物,第二子区域包括金属以及第三子区域包括金属氧化物。例如,以此方式提供了BLC结构,使得BLC结构的表面齐平,这至少是因为第三区域齐平。 | ||
搜索关键词: | 电平 校正 blc 结构 | ||
【主权项】:
一种黑电平校正(BLC)结构,包括:第一区域,包括硅;第二区域,包括:第一子区域,包括金属硅化物,至少一部分所述第一子区域位于至少一部分所述第一区域之上;第二子区域,包括金属,至少一部分所述第二子区域位于至少一部分所述第一子区域之上;和第三子区域,包括金属氧化物,至少一部分所述第三子区域位于至少一部分所述第二子区域之上;以及第三区域,包括钝化电介质,至少一部分所述第三区域位于至少一部分所述第二区域之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的