[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201310027791.2 | 申请日： | 2013-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103632709B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 金珍儿 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括（部分地）：第一数据I/O块和第二数据I/O块。在写入操作期间，第一数据I/O块将经由第一焊盘供应的输入数据传送第一全局I/O线，并且还产生写入内部信号。第二数据I/O块响应于监控使能信号而将写入内部信号传送到第二焊盘。在读取操作期间，第一数据I/O块将数据从第一全局I/O线供应到第一焊盘，并且还产生读取内部信号。第二数据I/O块响应于监控使能信号而将读取内部信号传送到第二焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 内部信号 焊盘 半导体存储器件 第一数据 数据I/O 读取 全局I/O线 使能信号 写入 读取操作期间 写入操作期间 响应 监控 传送 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：第一数据I/O块，所述第一数据I/O块被配置成执行写入操作以将第一输入数据从第一焊盘传送到第一全局I/O线，所述第一数据I/O块还被配置成在所述写入操作期间产生写入内部信号；以及第二数据I/O块，所述第二数据I/O块被配置成响应于监控使能信号而将所述写入内部信号传送到第二焊盘,其中，所述第一数据I/O块包括：输入缓冲器，所述输入缓冲器被配置成在所述写入操作期间缓冲从所述第一焊盘接收的所述第一输入数据，并且供应第一内部输入数据；以及写入路径单元，所述写入路径单元被配置成响应于所述第一内部输入数据而驱动所述第一全局I/O线，所述写入路径单元还被配置成产生所述写入内部信号。
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