[发明专利]钕离子掺杂的二价阳离子氟化物激光晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 201310027583.2 | 申请日： | 2013-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103046131A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 苏良碧;詹曜宇;李红军;王庆国;钱小波;姜大朋;汪传勇;王静雅;徐军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 刘秋兰 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钕离子掺杂的二价阳离子氟化物激光晶体，所述激光晶体MeF2（Me=Ca、Sr、Ba等）中还掺杂有与所述钕离子Nd3+共掺的三价阳离子M3+（M=Y、Sc、La、Gd、Lu等）。本发明在钕离子掺杂的二价阳离子氟化物激光晶体中通过共掺三价阳离子M3+，在保持其宽带发射光谱特性的前提下，降低Nd离子的荧光猝灭效应，提高荧光量子效率，并实现发光波长、发射截面和荧光寿命的调控。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 掺杂 二价 阳离子 氟化物 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钕离子掺杂的二价阳离子氟化物激光晶体，其特征在于，所述二价阳离子氟化物激光晶体中还掺杂有作为与所述钕离子Nd3+共掺的三价阳离子M3+；所述二价阳离子氟化物激光晶体具有由所述三价阳离子M3+与所述钕离子Nd3+形成的[Nd3+‑n M3+]格位结构，其中n=1~5。
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