[发明专利]一种微米管制造工艺无效
| 申请号： | 201310025430.4 | 申请日： | 2013-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103091982A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 廖广兰;谭先华;史铁林;高阳 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;B81C1/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李佑宏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微米管制造工艺，包括：在基底上旋涂光刻胶，使用图形为圆形的掩模进行曝光，其中掩膜圆形的直径等于所要加工的微米管的外径；将所述曝光后的基底放到显影液中进行显影，在基底上获得光刻胶的微米管结构；对所述显影后带有光刻胶微米管结构的基底进行刻蚀，即可在基底上获得微米管阵列。本发明还公开了一种利用上述方法所制备的微米管。本发明在光刻过程中，由于基底的反射，利用圆形掩膜通过衍射形成光增强区和暗光区，经刻蚀即可形成微米管，可以实现利用一定精度的光刻设备制备更高精度的微米管，克服制备微米管必须依赖相应精度光刻设备的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微米 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种微米管的制造工艺，其特征在于，具体包括：在基底上旋涂光刻胶，使用图形为圆形的掩模进行曝光，其中圆形掩膜的直径等于所要加工的微米管的外径；将所述曝光后的基底放到显影液中进行显影，在基底上获得光刻胶的微米管结构；对所述显影后带有光刻胶微米管结构的基底进行刻蚀，即可在基底上获得微米管阵列。
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