[发明专利]三维存储器装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三维(3D)存储器装置及其制造方法，该三维存储器装置是根据导电柱阵列与多个图案化导电体层，图案化导体层包括：左侧与右侧导电体，而左侧与右侧导体邻接在左侧与右侧界面区中的柱体。在左侧与右侧界面区中的存储器元件由可编程过渡金属氧化物或可编程电阻材料组成，过渡金属氧化物的特征为具有内建自我开关行为。柱体能运用二维译码(two-dimensional decoding)加以选择，且在多个平面中的左侧与右侧导电体能在第三维度运用译码加以选择，而第三维度与左侧和右侧选择相结合。

主权项

一种存储器装置，包括：一存取装置阵列；多个图案化导电体层，彼此通过多个绝缘层分开，以形成该存取装置阵列，该多个图案化导电体层包括多个左侧导电体与多个右侧导电体；一导电柱阵列，延伸穿过该多个图案化导电体层，在阵列中的多个柱体，是接触在该存取装置阵列中相对应的该多个存取装置，并定义出左侧界面区域与右侧界面区域，该多个左侧与右侧界面区域是设置在该多个柱体与相邻的左侧导电体与右侧导电体之间，且是在该多个图案化导电体层中对应的图案化导电体层上；以及多个存储器元件，设置在该多个左侧界面区域与该多个右侧界面区域中，每该多个存储器元件包括一可编程存储器材料与一可擦除存储器材料。