[发明专利]低弯曲度硅基III族氮化物外延片及生长方法无效
| 申请号： | 201310013408.8 | 申请日： | 2013-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN103123948A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 倪金玉;李忠辉;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00;H01L29/06;H01L21/02;C30B25/16 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是低弯曲度硅基III族氮化物外延片及生长方法，结构包含硅衬底、氮化铝成核层、铝镓氮过渡层和III族氮化物层，其中氮化铝成核层位于硅衬底和铝镓氮过渡层间，铝镓氮过渡层位于氮化铝成核层和III族氮化物层间；铝镓氮过渡层含第一铝镓氮层和第二铝镓氮层，第一铝镓氮层的Al组分高于第二铝镓氮层的Al组分，第一铝镓氮层的厚度小于第二铝镓氮层的厚度，且满足条件：两层铝镓氮层的厚度和铝组分乘积的比例大小在0.8~1.2；III族氮化物层的Al组分低于第二层铝镓氮层的Al组分。优点：本发明生长的III族氮化物外延片弯曲度低，满足圆片级器件工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 弯曲 度硅基 iii 氮化物 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
低弯曲度硅基III族氮化物外延片，其特征是包含硅衬底、氮化铝成核层、铝镓氮过渡层和III族氮化物层，其中氮化铝成核层位于硅衬底和铝镓氮过渡层之间，氮化铝成核层的作用是给异质外延层的生长提供成核中心，促进III族氮化物源材料在硅衬底上凝结生长，改善其质量；铝镓氮过渡层位于氮化铝成核层和III族氮化物层之间；铝镓氮过渡层包含首先生长的第一层铝镓氮层和其后生长的第二层铝镓氮层，第一铝镓氮层的Al组分高于第二铝镓氮层的Al组分，第一铝镓氮层的厚度小于第二铝镓氮层的厚度，并且满足条件：两层铝镓氮层的厚度和铝组分乘积的比例值在0.8~1.2；III族氮化物层的Al组分低于第二层铝镓氮层的Al组分。
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