[发明专利]一种晶圆背面减薄方法

摘要

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种晶圆背面减薄方法，包括以下步骤：步骤一，将器件晶圆与载片键合；步骤二，对器件晶圆背面进行第一次研磨；步骤三，对器件晶圆进行第一次湿法蚀刻；步骤四，对器件晶圆背面进行第二次研磨；步骤五，对器件晶圆进行第二次湿法蚀刻；步骤六，对器件晶圆进行第三次湿法蚀刻；步骤七，对器件晶圆进行第四次湿法蚀刻，将器件晶圆减薄至要求厚度。本发明的有益效果是：在原有的工艺流程中重复了一次器件晶圆背面研磨和湿法蚀刻，通过多步研磨和湿法蚀刻来对工艺进行优化，有效地减少晶圆减薄过程中产生的内应力，减少破片几率，增加成品率。

主权项

一种晶圆背面减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将器件晶圆与载片键合，键合后的器件晶圆包括载片、器件晶圆外延层和器件晶圆体衬底，所述的器件晶圆外延层处于载片和器件晶圆体衬底之间；步骤二，对器件晶圆背面进行第一次研磨，减薄器件晶圆体衬底的厚度；步骤三，对器件晶圆进行第一次湿法蚀刻，再次减薄器件晶圆体衬底的厚度；步骤四，对器件晶圆背面进行第二次研磨，再次减薄器件晶圆体衬底的厚度；步骤五，对器件晶圆进行第二次湿法蚀刻，再次减薄器件晶圆体衬底的厚度；步骤六，对器件晶圆进行第三次湿法蚀刻，刻蚀掉器件晶圆体上的剩余衬底；步骤七，对器件晶圆进行第四次湿法蚀刻，将器件晶圆减薄至要求厚度。