[发明专利]MIM电容及其形成方法有效
| 申请号： | 201310006411.7 | 申请日： | 2013-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN103915315A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MIM电容及其形成方法，所述MIM电容的形成方法包括：提供基底，所述部分基底位于第一区域，部分基底位于第二区域；在所述第一区域的基底表面形成第一电极层；在所述第一电极层表面和基底表面形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成第二电极层；在第二电极层表面和绝缘层表面形成第三介质层；同时形成第一通孔和第二通孔，其中，所述第一通孔依次贯穿第三介质层、绝缘层和第一区域的第一电极层，所述第二通孔依次贯穿第三介质层、第二电极层和第二区域的绝缘层，且第一通孔贯穿的第三介质层厚度与第二通孔贯穿的第三介质层厚度相同。所述MIM电容的形成方法能够降低形成与MIM电容上下电极连接的插塞的难度。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MIM电容的形成方法，其特征在于，包括：提供基底、相邻的第一区域和第二区域，所述部分基底位于第一区域，部分基底位于第二区域；在所述第一区域的基底的表面形成第一电极层；在所述第一电极层表面和基底表面形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成第二电极层，所述第二电极层包括第一部分和与第一部分相连的第二部分，所述第一部分位于第二区域的绝缘层表面且暴露出部分所述第一电极层表面的绝缘层，所述第二部分位于第二区域的绝缘层表面，且所述第二电极层的厚度和材料与第一电极层的厚度和材料相同；在第二电极层表面和绝缘层表面形成第三介质层并平坦化所述第三介质层；同时形成第一通孔和第二通孔，其中，所述第一通孔依次贯穿第三介质层、绝缘层和第一区域的第一电极层，所述第二通孔依次贯穿第三介质层、第二电极层和第二区域的绝缘层，且第一通孔贯穿的第三介质层厚度与第二通孔贯穿的第三介质层厚度相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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