[发明专利]具有双隧道势垒的磁器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201280057583.0 | 申请日： | 2012-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN103946997A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | S·阿加沃尔;K·纳盖尔;J·简斯基 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种双隧道势垒磁元件具有位于第一隧道势垒与第二隧道势垒之间的自由磁层、以及在所述第二隧道势垒上方的电极。两步蚀刻处理使得可以在第一蚀刻之后在所述电极和第二隧道势垒的侧壁上形成封装材料，以防止当执行第二蚀刻以移除自由层的一部分时对第一隧道势垒的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隧道 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种在基板上制造磁元件的方法，所述磁元件包括：在所述基板上方形成第一电极；在所述第一电极上方形成第一隧道势垒；在所述第一隧道势垒上方形成自由磁层；在所述自由磁层上形成第二隧道势垒；在所述第二隧道势垒上方形成第二电极；穿过所述第二电极的第一部分并且部分地穿过所述第二隧道势垒的第一部分执行第一蚀刻，以暴露所述第二隧道势垒的限定场的表面；其中，所述第二电极和所述第二隧道势垒的第二部分限定侧壁；在所述侧壁和所述场上形成封装材料；以及穿过所述场中的封装材料并且穿过所述自由层的第一部分和所述第二隧道势垒的第一部分的剩余部分执行第二蚀刻。
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