[发明专利]氮化硼粉末的连续制造方法无效
申请号: | 201280053543.9 | 申请日: | 2012-10-24 |
公开(公告)号: | CN104024153A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 松本一昭;川口敏之;坂口雅史 | 申请(专利权)人: | 株式会社钟化 |
主分类号: | C01B21/064 | 分类号: | C01B21/064 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种以更高的效率和低成本连续地且以减少炉污染的方式制造粒径大且结晶性高的结晶性六方晶氮化硼粉末的方法。本发明涉及一种结晶性六方晶氮化硼粉末的连续制造方法,其特征在于,用第一工序对含硼物质和含氮物质进行加热处理,从而得到BN含有率为80重量%以上的粗制氮化硼,然后用第二工序将该粗制氮化硼与满足下述式(1)的量的含硼熔剂成分一起投入到耐热容器中,用连续反应炉在氮气气氛下以1550℃~2400℃进行再加热处理,从而使晶体生长。式(1):含硼熔剂成分中所含的硼量/粗制氮化硼量≤1.4重量%。 | ||
搜索关键词: | 氮化 粉末 连续 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种结晶性六方晶氮化硼粉末的连续制造方法,其特征在于,用第一工序对含硼物质和含氮物质进行加热处理,从而得到BN含有率为80重量%以上的粗制氮化硼,然后用第二工序将该粗制氮化硼与满足下述式(1)的含硼熔剂成分一起投入到耐热容器中,用连续反应炉在氮气气氛下以1550℃~2400℃进行再加热处理,从而使晶体生长,式(1):含硼熔剂成分中所含的硼量/粗制氮化硼量≤1.4重量%。
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