[发明专利]电容器、包含电容器的设备及用于形成电容器的方法有效
申请号: | 201280048397.0 | 申请日: | 2012-08-21 |
公开(公告)号: | CN103843137B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 权兑辉 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 孙宝成 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供电容器、包含电容器的设备及用于形成电容器的方法。一个此种电容器可包含第一导体、在所述第一导体上面的第二导体及在所述第一导体与所述第二导体之间的电介质。所述电介质不覆盖所述第一导体的一部分;且所述第二导体不覆盖所述第一导体的未被所述电介质覆盖的所述部分。 | ||
搜索关键词: | 电容器 包含 设备 用于 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电容器,其包括:第一平面导电层;第二平面导电层,其形成在所述第一平面导电层上面;第三平面导电层,其形成在所述第二平面导电层上面,所述第一平面导电层在平行于所述第二平面导电层的至少两个相反的方向上延伸,且超出所述第二平面导电层,从而所述第一平面导电层的第一端上表面部分和第二端上表面部分中的每一者延伸至超出所述第二平面导电层的相应的第一端和相应的第二端,所述第二平面导电层在平行于所述第三平面导电层的至少两个相反的方向上延伸,且超出所述第三平面导电层,从而所述第二平面导电层的第一端上表面部分和第二端上表面部分中的每一者延伸至超出所述第三平面导电层的相应的第一端和相应的第二端;电介质材料层,其插置于所述第一平面导电层、所述第二平面导电层与所述第三平面导电层之间,所述电介质材料层经布置使得所述第一平面导电层和所述第二平面导电层的所述第一端表面部分和所述第二端表面部分中的每一者延伸至超出相应的电介质材料层;及第一触点、第二触点和第三触点,所述第一触点、第二触点和第三触点中的每一者电耦合到所述第一平面导电层、所述第二平面导电层和所述第三平面导电层,所述第一触点安置在所述第一平面导电层的第一端上表面部分的第一横向侧上,所述第二触点安置在所述第二平面导电层的第一端上表面部分的第二横向侧上,且所述第三触点安置在所述第三平面导电层的所述第一端上表面部分的第一横向侧上,其中所述第一触点和所述第三触点直接耦合至第一接触电极,且所述第二触点直接耦合至与所述第一接触电极共面的第二接触电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280048397.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的