[发明专利]用于局部蒸镀基底的迁移掩模和其制造方法有效
| 申请号： | 201280045652.6 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103958724A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·布格哈特;哈拉尔德·格罗斯 | 申请（专利权）人： | 冯·阿德纳有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/28;H01L51/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨靖;车文 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于局部蒸镀基底（20）的迁移掩模，其带有透明的中间载体（2）。在中间载体的后侧（14）布置有层堆（13），该层堆包括由吸收辐射的材料构成的吸收层（6）、在吸收层上的连续的覆盖层（10）和在覆盖层上的连续的待蒸发材料的蒸发层（12）。为了在流水作业中也能局部差异地蒸发较高熔点的材料，层堆（13）不包括反射层（4），并且掩模结构由结构化的吸收层（6）或由嵌在中间载体（2）中的结构化的反射层（4）来构造。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 局部 基底 迁移 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于局部蒸镀基底（20）的迁移掩模，所述迁移掩模带有透明的中间载体（2），在所述中间载体的后侧（14）布置有层堆（13），所述层堆包括由吸收辐射的材料构成的吸收层（6）、在所述吸收层上的连续的覆盖层（10）和在所述覆盖层上的连续的待蒸发材料的蒸发层（12），其特征在于，所述层堆（13）不包括反射层（4），并且掩模结构由结构化的吸收层（6）或由嵌在所述中间载体（2）中的结构化的反射层（4）来构造。
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