[发明专利]太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明的主要目的在于，能够进行在成膜时缺陷少且不含过量的氢的薄膜形成，进而，能够在成膜后对在成膜时产生的缺陷进行补偿，以减少界面及薄膜中的缺陷，由此，实现长载流子寿命。本发明是具有在结晶硅基板(50)上形成有硅薄膜(52)的结构的太阳能电池的制造方法。所述制造方法包括：薄膜形成工序，其通过由电感耦合生成等离子体的电感耦合型等离子体CVD法，在结晶硅基板(50)上，形成包含微小的硅结晶的微晶硅薄膜，以作为硅薄膜(52)；以及水蒸气热处理工序，其在5×105Pa以上压力的水蒸气环境中，对形成有该微晶硅薄膜的基板实施热处理。

主权项

一种太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池具有在结晶硅基板上形成有硅薄膜的结构，其特征在于，包括：薄膜形成工序，其通过由电感耦合生成等离子体的电感耦合型等离子体CVD法，在所述结晶硅基板上，形成包含微小的硅结晶的微晶硅薄膜，以作为所述硅薄膜；以及水蒸气热处理工序，其在5×105Pa以上压力的水蒸气环境中，对形成有所述微晶硅薄膜的所述结晶硅基板实施热处理。