[发明专利]切换元件

摘要

本发明提供一种能有效地抑制崩溃现象的切换元件。切换元件（1a）具备：电子运行层（12）、形成于电子运行层（12）的上表面并且带隙比电子运行层(12)大且与电子运行层(12)异质接合的电子供给层(13)、形成于电子供给层(13)的上表面并且带隙比电子供给层(13)小的再结合层(17)、至少一部分形成于电子运行层(12)的上表面的源电极（14）以及漏电极（15）、至少一部分形成于电子供给层（13）的上表面并且配置于上述源电极（14）和漏电极（15）之间的栅电极（16）。当切换元件（1a）在关断状态时，在再结合层（17），电子和空穴进行再结合。

主权项

一种切换元件，其特征在于，具备：第一半导体层；第二半导体层，形成于所述第一半导体层的上表面，并且带隙比所述第一半导体层大且与该第一半导体层异质接合；第三半导体层，形成于所述第二半导体层的上表面，并且带隙比所述第二半导体层小；第一电极，至少一部分形成于所述第一半导体层的上表面；　第二电极，至少一部分形成于所述第一半导体层的上表面；以及控制电极，至少一部分形成于所述第二半导体层的上表面，且配置于所述第一电极以及所述第二电极之间，　根据所述控制电极的电位，将通过在所述第一半导体层的与所述第二半导体层接合的界面产生的二维载流子气体，使所述第一电极和所述第二电极之间电连接的接通状态；和通过至少在所述控制电极的紧下方，在所述界面不产生二维载流子气体，使所述第一电极和所述第二电极之间不电连接的关断状态进行切换，　当为所述关断状态时，在所述第三半导体层，电子和空穴进行再结合。