[发明专利]采用高脉冲重复频率的皮秒激光脉冲的激光直接烧蚀有效
申请号: | 201280014588.5 | 申请日: | 2012-03-23 |
公开(公告)号: | CN103493182A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 穆翰莫德·E·阿尔帕伊;松本久;马克·A·昂瑞斯;李光宇 | 申请(专利权)人: | 伊雷克托科学工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L21/28 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 激光直接烧蚀(LDA)产生切割到介电层中的图案以形成具有受控信号传播特性的导电迹线。LDA处理包括选择用于沿着工件表面上的刻划线移除期望深度的材料的剂量通量;选择一系列激光脉冲中每个激光脉冲的时间脉冲宽度;以及选择所述一系列激光脉冲的脉冲重复频率。所述脉冲重复频率至少部分基于所选择的时间脉冲宽度,以维持沿着所述刻划线的所选择的剂量通量。所选择的脉冲重复频率提供沿着所述刻划线的激光光斑的预定的最小重叠。所述LDA过程还包括根据所选择的剂量通量、时间脉冲宽度和脉冲重复频率生成包括所述一系列激光脉冲的激光束。 | ||
搜索关键词: | 采用 脉冲 重复 频率 激光 直接 | ||
【主权项】:
一种用于激光直接烧蚀的方法,所述激光直接烧蚀产生切割到介电层中的图案以形成具有受控信号传播特性的导电迹线,所述方法包括:选择用于沿着工件表面上的刻划线移除期望深度的材料的剂量通量;选择一系列激光脉冲中每个激光脉冲的时间脉冲宽度;选择所述一系列激光脉冲的脉冲重复频率,其中所述脉冲重复频率的所述选择至少部分基于所选择的时间脉冲宽度,以维持沿着所述刻划线的所选择的剂量通量,并且其中所选择的脉冲重复频率提供沿着所述刻划线的激光光斑的预定的最小重叠;根据所选择的剂量通量、时间脉冲宽度和脉冲重复频率,使用激光源生成包括所述一系列激光脉冲的激光束;以及提供所述工件和所述激光束之间的相对运动,使得所述激光束的路径以选定的速率循着沿着所述工件的所述表面的所述刻划线位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊雷克托科学工业股份有限公司,未经伊雷克托科学工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280014588.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造