[实用新型]改善静电防护的发光二极管的结构

摘要

本实用新型涉及一种改善静电防护的发光二极管的结构，包括衬底、第一电极和第二电极，衬底上依次设置缓冲层和N型半导体层，其特征是：所述N型半导体层和缓冲层区分成第一岛状结构、第二岛状结构和第三岛状结构，在第二岛状结构和第三岛状结构上依次设置有源层和P型半导体层，在第三岛状结构上的P型半导体层上设置透明导电层；在所述第一岛状结构、第二岛状结构上的P型半导体层、透明导电层上设置钝化层，第一电极穿过钝化层与透明导电层和第二岛状结构中的N型半导体层连接，第二电极穿过钝化层与第一岛状结构中的N型半导体层和第二岛状结构上的P型半导体层连接。本实用新型有效的提高了静电防护，减少静电带来的损伤，延长了LED芯片使用寿命。

主权项

一种改善静电防护的发光二极管的结构，包括衬底（5）、N型半导体层（3）、P型半导体层（1）、第一电极（8）和第二电极（12），衬底（5）上依次设置缓冲层（4）和N型半导体层（3），缓冲层（4）覆盖于衬底（5）上，N型半导体层（3）覆盖于缓冲层（4）上，其特征是：所述N型半导体层（3）和缓冲层（4）区分成第一岛状结构（9）、第二岛状结构（10）和第三岛状结构（11）；在所述第二岛状结构（10）和第三岛状结构（11）上依次设置有源层（2）和P型半导体层（1），在第三岛状结构（11）上的P型半导体层（1）上设置透明导电层（6）；在所述第一岛状结构（9）、第二岛状结构（10）上的P型半导体层（1）、透明导电层（6）上设置钝化层（7），该钝化层（7）包覆第一岛状结构（9）、第一岛状结构（9）与第二岛状结构（10）之间的沟槽、第二岛状结构（10）与第三岛状结构（11）之间的沟槽、第二岛状结构（10）及第二岛状结构（10）上的P型半导体层（1）和有源层（2）、第三岛状结构（11）及第三岛状结构（11）上的透明导电层（6）、P型半导体层（1）和有源层（2）；所述第一电极（8）分别穿过钝化层（7）与透明导电层（6）和第二岛状结构（11）中的N型半导体层（3）连接；所述第二电极（12）分别穿过钝化层（7）与第一岛状结构（9）中的N型半导体层（3）和第二岛状结构（10）上的P型半导体层（1）连接；所述第一电极（8）、第一岛状结构（9）、第三岛状结构（11）、第三岛状结构（11）上的有源层（2）和P型半导体层（1）构成主级二极管（100），所述第二电极（12）、第二岛状结构（10）、第二岛状结构（10）上的有源层（2）和P型半导体层（1）构成次级二极管（200）。