[实用新型]一种多层结构V2O3限流元件有效
| 申请号： | 201220236325.6 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN202584969U | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 杨敬义 | 申请（专利权）人： | 成都顺康电子有限责任公司;成都安康科技有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 谢焕武 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种多层结构V2O3限流元件。该限流元件具有陶瓷芯片，所述陶瓷芯片的一端导电连接第一外电极和所述陶瓷芯片的另一端导电连接第二外电极，其特征是所述陶瓷芯片为导电陶瓷层和介质陶瓷层交替叠片构成，所述导电陶瓷层和介质陶瓷层的一端导电连接第一外电极，所述导电陶瓷层和介质陶瓷层的另一端导电连接第二外电极，所述导电陶瓷层至少一层。本产品解决了己有PTC陶瓷限流元件存在不易低阻化，易分层；V2O3限流元件存在易碎裂，寿命短等问题。能制备出各种规格的超小型，大电流的限流元件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 结构 sub 限流 元件 | ||
【主权项】：
一种多层结构V2O3限流元件，具有陶瓷芯片，所述陶瓷芯片的一端导电连接第一外电极和所述陶瓷芯片的另一端导电连接第二外电极，其特征是所述陶瓷芯片为导电陶瓷层和介质陶瓷层交替叠片构成，所述导电陶瓷层和介质陶瓷层的一端导电连接第一外电极，所述导电陶瓷层和介质陶瓷层的另一端导电连接第二外电极，所述导电陶瓷层至少一层。
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