[实用新型]等离子体耐蚀性构件有效
| 申请号： | 201220231244.7 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN202671657U | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 后藤义信 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C23C30/00 | 分类号： | C23C30/00;C23C4/10;C23C14/08;C23C16/40;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鲜英;刘强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型涉及等离子体耐蚀性构件。本实用新型的课题是抑制在升温至700℃后的薄膜与基材的界面产生裂纹。作为解决方案，本实用新型的等离子体耐蚀性构件是在氮化硅烧结体、氮化铝烧结体、氧化铝烧结体或碳化硅烧结体的基材的表面上形成有钇化合物或尖晶石的薄膜的等离子体耐蚀性构件，在前述薄膜的表面上形成有为了支撑晶片而设置的多个凸部，前述薄膜中的形成有前述凸部的部分的膜厚a2相对于未形成前述凸部的部分的膜厚a1的比率a2／a1满足1＜a2／a1＜1.6。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 耐蚀性 构件 | ||
【主权项】：
一种等离子体耐蚀性构件，其特征在于，其为在氮化硅烧结体、氮化铝烧结体、氧化铝烧结体或碳化硅烧结体的基材的表面上形成有钇化合物或尖晶石的薄膜的等离子体耐蚀性构件，在所述薄膜的表面上形成有为了支撑晶片而设置的多个凸部，所述薄膜中的形成有所述凸部的部分的膜厚a2相对于未形成所述凸部的部分的膜厚a1的比率a2／a1满足1＜a2／a1＜1.6。
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