[发明专利]一种硅酸铝镓锶钽压电晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 201210594015.6 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103014865A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 涂一帆;郑燕青;涂小牛;孔海宽;杨建华;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B11/00;C30B13/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅酸铝镓锶钽压电晶体及其制备方法，所述硅酸铝镓锶钽压电晶体的化学式为Sr3TaAl(3-x)GaxSi2O14，其中x的取值范围为0.05～2.50。相比较于LGS压电晶体，在压电性能不受太大影响的情况下，STAGS压电晶体的生产成本显著降低；与STGS压电晶体相比较，STAGS压电晶体不仅压电性能有所提高，而且生产成本进一步降低；相对于结晶性能较差的STAS压电晶体，STAGS压电晶体体现了其结晶性能更为优异的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅酸铝 镓锶钽 压电 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅酸铝镓锶钽压电晶体，其特征在于其化学式为Sr3TaAl(3‑x)GaxSi2O14 ，其中x的取值范围为0.05～2.50。
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