[发明专利]低电源电压高共模抑制比运算放大器

摘要

本发明公开了一种低电源电压下高共模抑制比运算放大器，该运算放大器包含主跨导级电路、从跨导级电路、第一级负载电路和第二级放大电路；其中，主跨导级电路包括第五P型金属氧化物晶体管、第六P型金属氧化物晶体管、第七P型金属氧化物晶体管、第四N型金属氧化物晶体管和第五N型金属氧化物晶体管；从跨导级电路包括第二P型金属氧化物晶体管、第三P型金属氧化物晶体管、第四P型金属氧化物晶体管、第二N型金属氧化物晶体管和第三N型金属氧化物晶体管；第二级放大电路包括第一P型金属氧化物晶体管、第一N型金属氧化物晶体管、第一电容和第一电阻。该结构的运算放大器能够在低电源电压下保证高共模抑制比和高电源抑制比的特性。

主权项

一种低电源电压高共模抑制比运算放大器，其特征在于：该运算放大器包含主跨导级电路、从跨导级电路、第一级负载和第二级放大电路；其中，主跨导级电路包括第五P型金属氧化物晶体管(P5)、第六P型金属氧化物晶体管(P6)、第七P型金属氧化物晶体管(P7)、第四N型金属氧化物晶体管(N4)和第五N型金属氧化物晶体管(N5)；从跨导级电路包括第二P型金属氧化物晶体管(P2)、第三P型金属氧化物晶体管(P3)和第四P型金属氧化物晶体管(P4)；第一级负载包括第二N型金属氧化物晶体管(N2)和第三N型金属氧化物晶体管(N3)；从跨导级电路中的第二P型金属氧化物晶体管(P2)、第三P型金属氧化物晶体管(P3)和第四P型金属氧化物晶体管(P4)的宽长比分别是主跨导级电路中第五P型金属氧化物晶体管(P5)、第六P型金属氧化物晶体管(P6)和第七P型金属氧化物晶体管(P7)宽长比的2倍；第一级负载的第二N型金属氧化物晶体管(N2)和第三N型金属氧化物晶体管(N3)与第四N型金属氧化物晶体管(N4)的宽长比相同；第二级放大电路包括第一P型金属氧化物晶体管(P1)、第一N型金属氧化物晶体管(N1)、第一电容(C1)和第一电阻(R1)；第三P型金属氧化物晶体管(P3)的栅极与第七P型金属氧化物晶体管(P7)的栅极连接作为差分输入的一端(INP)，第四P型金属氧化物晶体管(P4)的栅极和第六P型金属氧化物晶体管(P6)的栅极连接作为差分输入的另一端(INN)，第三P型金属氧化物晶体管(P3)的源极、第四P型金属氧化物晶体管(P4)的源极和第二P型金属氧化物晶体管(P2)的漏极连接，第四P型金属氧化物晶体管(P4)的漏极和第三N型金属氧化物晶体管(N3)的漏极和栅极连接，第二N型金属氧化物晶体管(N2)的栅极和第三N型金属氧化物晶体管(N3)的栅极和漏极连接，第六P型金属氧化物晶体管(P6)的源极、第七P型金属氧化物晶体管(P7)的源极和第五P型金属氧化物晶体管(P5)的漏极连接，第六P型金属氧化物晶体管(P6)的漏极、第七P型金属氧化物晶体管(P7)的漏极和第四N型金属氧化物晶体管(N4)的漏极连接，第二P型金属氧化物晶体管(P2)的栅极、第五P型金属氧化物晶体管(P5)的栅极、第六P型金属氧化物晶体管(P6)的漏极、第七P型金属氧化物晶体管(P7)的漏极和第四N型金属氧化物晶体管(N4)的漏极连接，第四N型金属氧化物晶体管(N4)的栅极和第五N型金属氧化物晶体管(N5)的栅极和漏极连接，第五N型金属氧化物晶体管(N5)的漏极和基准电流连接；第三P型金属氧化物晶体管(P3)的漏极、第二N型金属氧化物晶体管(N2)的漏极、第一P型金属氧化物晶体管(P1)的栅极和第一电阻(R1) 的一端连接，第一电阻(R1)的另一端和第一电容(C1)的正端连接，第一电容(C1)的负端和第一P型金属氧化物晶体管(P1)的漏极、第一N型金属氧化物晶体管(N1)的漏极和输出端(OUT)连接，第一P型金属氧化物晶体管(P1)的源极、第二P型金属氧化物晶体管(P2)的源极、第五P型金属氧化物晶体管(P5)的源极和电源线连接，第一N型金属氧化物晶体管(N1)的源极、第二N型金属氧化物晶体管(N2)的源极、第三N型金属氧化物晶体管(N3)的源极、第四N型金属氧化物晶体管(N4)的源极、第五N型金属氧化物晶体管(N5)的源极和地线连接。