[发明专利]全差分低功耗低噪声放大器

摘要

本发明公开了一种全差分低功耗低噪声放大器，该放大器包含共源级放大器和共栅级放大器。其中，共源级放大器包括第一和第二N型金属氧化物晶体管、第一和第二P型金属氧化物晶体管、第一电阻、第二电阻、第五至第八电阻、第一至第五电容；共栅级放大器包括第三和第四P型金属氧化物晶体管、第三和第四电阻。该结构的低噪声放大器对N型金属氧化物晶体管和P型金属氧化物晶体管的静态偏置电流进行复用，同时这种结构也具有噪声抵消的功能。因此，该结构的低噪声放大器具有低功耗和低噪声系数的功能。

主权项

一种全差分低功耗低噪声放大器，其特征在于：该放大器包含共源级放大器和共栅级放大器；其中，共源级放大器包括第一和第二N型金属氧化物晶体管(N1和N2)、第一和第二P型金属氧化物晶体管(P1和P2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第五至第八电阻(R5‑R8)和第一至第五电容(C1‑C5)；共栅级放大器包括第三和第四P型金属氧化物晶体管(P3和P4)以及第三和第四电阻(R3和R4)；差分输入信号正端(Vin+)接第一和第三电容(C1和C3)的下极板以及第四P型金属氧化物晶体管(P4)的源极；差分输入信号负端(Vin‑)接第二和第四电容(C2和C4)的下极板以及第三P型金属氧化物晶体管(P3)的源极；第一和第二电容(C1和C2)的上极板分别接第一和第二N型金属氧化物晶体管(N1和N2)的栅极；第一和第二电容(C1和C2)的上极板又分别接第七和第八电阻(R7和R8)的正端，第七和第八电阻(R7和R8)的负端由第一偏置电压(Vb1)提供偏置；第一和第二N型金属氧化物晶体管(N1和N2)的源极都接地；第一N型金属氧化物晶体管(N1)的漏极连接第一P型金属氧化物晶体管(P1)的漏极以及第一和第三电阻(R1和R3)的正端；第二N型金属氧化物晶体管(N2)的漏极连接第二P型金属氧化物晶体管(P2)的漏极以及第二和第四电阻(R2和R4)的正端；第一电阻(R1)负端和第二电阻(R2)的负端连接，并且连接第五电容(C5)的上极板；第五电容(C5)的下极板接地；第三电阻(R3)的负端连接第三P型金属氧化物晶体管(P3)的漏极，并且作为差分输出负端(Vout‑)；第四电阻(R4)的负端连接第四P型金属氧化物晶体管(P4)的漏极，并且作为差分输出正端(Vout+)；第三和第四P型金属氧化物晶体管(P3和P4)的栅极连接，分别连接第五和第六电阻(R5和R6)的负端，由第二偏置电压(Vb2)提供偏置；第五电阻(R5)的正端与第三电容(C3)的上极板连接，并且连接第一P型金属氧化物晶体管(P1)的栅极；第六电阻(R6)的正端与第四电容(C4)的上极板连接，并且连接第二P型金属氧化物晶体管(P2)的栅极；第一和第二P型金属氧化物晶体管(P1和P2)的源极连接电源电压。