[发明专利]一种自对准的外延接触孔结构及制备方法

摘要

本发明涉及一种自对准的外延接触孔结构及制备方法，包括在衬底上形成刻蚀停止层；经曝光和刻蚀，在刻蚀停止层上定义外延生长区域图案，在源极和漏极表面形成外延生长区域；采用选择性外延生长工艺，在外延生长区域表面进行垂直自对准生长，形成外延接触孔；在衬底上沉积一层金属前介质层，在源极、漏极和栅极之间形成空气隙；利用光刻技术，将外延接触孔顶部以外的衬底表面覆盖住，只暴露出外延接触孔顶部；对外延接触孔进行重掺杂工艺；在外延接触孔顶部形成一层硅化物。本发明实现了接触孔自对准垂直外延生长，制备得到的外延接触孔电阻率低，且在其表面能够获得良好的欧姆接触，利用形成的空气隙，从而可以很大程度地降低RC延迟。

主权项

一种自对准的外延接触孔结构，采用的衬底包括栅极、源极和漏极，其特征在于，包括：位于所述衬底上的刻蚀停止层；位于所述源极和所述漏极上的外延接触孔；位于所述外延接触孔上的金属前介质层；位于所述外延接触孔顶部的硅化物；在所述源极、所述漏极和所述栅极之间形成空气隙；以及在所述金属前介质层和所述刻蚀停止层之间形成空气隙。