[发明专利]一种晶体位置表建立方法有效

专利信息
申请号: 201210579733.6 申请日: 2012-12-27
公开(公告)号: CN103065313A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 张辉;王新增;胡广书 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G06T7/00 分类号: G06T7/00;G06T5/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 徐宁;关畅
地址: 100084 北京市海淀区1*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种晶体位置表建立方法,包括以下步骤:1)利用形态学方法对二维位置散点图进行预处理;2)识别二维位置散点图的顶点;3)对步骤2)识别的顶点的正确性进行判断,如果步骤2)识别的顶点全部正确进入步骤4),如果步骤2)识别的顶点存在错误,则对错误的顶点进行人工矫正后进入步骤4);4)将顶点按照行依次进行分类;5)根据每相邻两行间的依次相邻的上、下、左、右的4个顶点的坐标,完成所有中点的计算;6)将所有中点分别以行和列进行曲线拟合,完成二维位置散点图的分割。本发明可以广泛应用于正电子发射断层成像系统的晶体位置表建立过程中。
搜索关键词: 一种 晶体 位置 建立 方法
【主权项】:
一种晶体位置表建立方法,包括以下步骤:1)利用形态学方法对二维位置散点图进行预处理;2)识别二维位置散点图的顶点;3)对步骤2)识别的顶点的正确性进行判断,如果步骤2)识别的顶点全部正确进入步骤4),如果步骤2)识别的顶点存在错误,则对错误的顶点进行人工矫正后进入步骤4);4)将顶点按照行依次进行分类;5)根据每相邻两行间的依次相邻的上、下、左、右的4个顶点的坐标,完成所有中点的计算;6)将所有中点分别以行和列进行曲线拟合,完成二维位置散点图的分割。
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