[发明专利]浮栅的制备方法

摘要

本发明公开了一种浮栅的制备方法。该方法包括：S1，在半导体衬底上形成浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构的上表面高出于半导体衬底上表面第一高度H1；S2，通过离子注入在半导体衬底上形成有源区；S3，在半导体衬底上形成隧道氧化物层；S4，在隧道氧化物层上沉积浮栅材料层；S5，平坦化浮栅材料层露出浅沟槽隔离结构的上表面；以及S6，刻蚀去除部分浅沟槽隔离结构，形成浮栅；步骤S6包括：采用湿法刻蚀去除第二高度H2的浅沟槽隔离结构，使得浮栅与后续形成的控制栅之间耦合率较高；然后采用干法刻蚀去除第三高度H3的浅沟槽隔离结构，形成浮栅。应用本发明的技术方案，使浮栅与后续形成的控制栅之间的耦合率较高，且避免了有源区与控制栅之间短路的风险。

主权项

一种浮栅的制备方法，包括以下步骤：S1，在半导体衬底（10）上形成浅沟槽隔离结构（20），且所述浅沟槽隔离结构（20）的上表面高出于所述半导体衬底（10）上表面第一高度H1；S2，通过离子注入在所述半导体衬底（10）上形成有源区；S3，在所述半导体衬底（10）上形成隧道氧化物层（30）；S4，在所述隧道氧化物层（30）上沉积形成浮栅材料层；S5，平坦化所述浮栅材料层露出所述浅沟槽隔离结构（20）的上表面；以及S6，刻蚀去除部分所述浅沟槽隔离结构（20），形成所述浮栅（40）；其特征在于，所述步骤S6包括：采用湿法刻蚀去除第二高度H2的所述浅沟槽隔离结构（20），使得所述浮栅（40）与后续形成的控制栅之间耦合率较高；然后采用干法刻蚀去除第三高度H3的所述浅沟槽隔离结构（20），形成所述浮栅（40），其中，H2+H3≤H1。