[发明专利]像素阵列的测试电路、测试方法及显示面板、显示器有效
| 申请号： | 201210574325.1 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103268743A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 夏军;周莉 | 申请（专利权）人： | 厦门天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/00 | 分类号： | G09G3/00;G09F9/35 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 刘松 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市火*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了像素阵列的测试电路、测试方法及显示面板、显示器，测试电路包括M个MOS开关，每一MOS开关的源极/漏极与像素阵列的数据线电性连接；N个第一测试衬垫，用于输入测试控制信号分别控制M个MOS开关通断，每一第一测试衬垫与至少一个MOS开关的栅极电性连接；K个第二测试衬垫，用于输入数据信号，每一第二测试衬垫与至少一个MOS开关的漏极/源极电性连接；P个IC衬垫，至少一个IC衬垫包括至少两个子衬垫，IC衬垫中的至少两个子衬垫分别与相同数目的MOS开关的栅极一一对应电性连接。通过由IC包含的子衬垫代替多个IC衬垫，对开关分别控制的同时，减少用于输入规定电位来关闭开关电路线的IC衬垫的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 阵列 测试 电路 方法 显示 面板 显示器 | ||
【主权项】：
一种像素阵列的测试电路，其特征在于，包括：M个薄膜场效应晶体管MOS开关，每一所述MOS开关的源极/漏极与像素阵列的数据线电性连接；N个第一测试衬垫，用于输入测试控制信号分别控制所述M个MOS开关通断，每一所述第一测试衬垫与至少一个所述MOS开关的栅极电性连接；K个第二测试衬垫，用于输入数据信号，每一所述第二测试衬垫与至少一个所述MOS开关的漏极/源极电性连接；P个集成电路元件IC衬垫，至少一个所述IC衬垫包括至少两个子衬垫，所述IC衬垫中的所述至少两个子衬垫分别与所述M个MOS开关中相同数目的所述MOS开关的栅极一一对应电性连接；其中，M为大于等于2的整数，N、K和P均为大于等于1的整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门天马微电子有限公司，未经厦门天马微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210574325.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多功能MP5
- 下一篇：一种基于影音和游戏辅助学习英文的设备和方法
