[发明专利]硅矿石碳热氯化制备SiCl4的装置和方法无效
申请号: | 201210573619.2 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN103011174A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 扈玫珑;宋梅;邓青宇;刘璐;吕学伟;白晨光;张生富;邱贵宝 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人: | 张先芸 |
地址: | 400044 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明提供了硅矿石碳热氯化制备SiCl4的装置和方法,该装置包括反应装置、密封系统、氩/氯气储存及流量控制系统、控温系统、冷却系统、收集系统和尾气吸收系统;密封系统将反应装置完全密封防止反应气体泄漏,球团放置在反应装置中,氩/氯气储存及流量控制系统先向反应装置通入氩气排出其中空气,当反应装置中的反应温度达到设定值时,再改通氯气,氯气与球团充分反应,未反应的氯气和反应生成气态的SiCl4一起进入冷却系统,气态SiCl4被冷却成液态由收集系统收集,氯气被尾气吸收系统收集。该装置结构简单,方便操作,使用该装置和方法制备的SiCl4具有较高的转化率和纯度,且该方法对反应温度要求不是很高,工艺成本低。 | ||
搜索关键词: | 矿石 氯化 制备 sicl sub 装置 方法 | ||
【主权项】:
硅矿石碳热氯化制备SiCl4的装置,其特征在于:包括反应装置、密封系统、氩/氯气储存及流量控制系统、控温系统、冷却系统、收集系统和尾气吸收系统;所述反应装置为硅钼炉,该硅钼炉包括用于加热的硅钼棒;所述密封系统包括刚玉炉管、不锈钢的顶盖和底座,且所述刚玉炉管设在硅钼棒之间,所述顶盖和底座分别用于密封刚玉炉管的顶部和底部,刚玉炉管用于放置反应物质;所述氩/氯气储存及流量控制系统包括氯气储气瓶、氩气储气瓶、气体流量控制阀门和三通管,所述三通管的两个入口分别通过气体流量控制阀门与氯气储气瓶和氩气储气瓶瓶口密封连接,三通管的出口伸入刚玉炉管内;所述控温系统包括测温热电偶、控制柜和处理器,所述测温热电偶设在刚玉炉管内用于检测反应温度,并将检测结果传输至控制柜;所述控制柜用于记录和显示测温热电偶检测的反应温度,并将接收的反应温度传输至处理器,同时控制柜根据处理器的命令控制硅钼炉持续加热或停止加热;所述处理器中预先设有温度阀值,当其接收到的反应温度低于温度阀值时,处理器向控制柜发出持续加热的命令,当接收到的反应温度等于温度阀值时,处理器向控制柜发出停止加热的命令;所述冷却系统包括冷凝器和冷凝剂,该冷凝器对反应装置输出的混合气体进行冷却;所述收集系统用于收集从冷却系统冷却输出的液体;所述尾气吸收系统用于收集从收集系统输出的气体。
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