[发明专利]一种低压/高非线性系数ZnO压敏元件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210571396.6 申请日: 2012-12-26
公开(公告)号: CN103021606A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 刘倩;朱金鸿;李本文 申请(专利权)人: 山东中厦电子科技有限公司
主分类号: H01C7/112 分类号: H01C7/112;H01C17/00;C04B35/453;C04B35/622
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 张贵宾
地址: 274000 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明属于电子陶瓷材料及器件领域,特别公开了一种低压/高非线性系数ZnO压敏元件及其制造方法。该低压/高非线性系数ZnO压敏元件,包括导电膜片和压敏膜片,其特征在于:两导电膜片中间夹设一压敏膜片叠合成复合膜片,经压制减薄后,在950~1100℃下保温2.5~3小时烧成具有低压/高α值的复合膜片,在复合膜片两面焙银并切成元件要求的尺寸,附上引线并通过包封料包封成压敏元件。本发明用复合膜片技术制造低压/高非线性系数ZnO压敏元件,解决了低压/高非线性系数ZnO压敏元件存在的困难,可将电压梯度降到0.8~3V,非线性系数α保持在40~60,漏电流为0.5~1.0μA。
搜索关键词: 一种 低压 非线性 系数 zno 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种低压/高非线性系数ZnO压敏元件,包括导电膜片和压敏膜片,其特征在于:两导电膜片中间夹设一压敏膜片叠合成复合膜片,经压制减薄后,在950~1100℃下保温2.5~3小时烧成具有低压/高α值的复合膜片,在复合膜片两面焙银并切成元件要求的尺寸,附上引线并通过包封料包封成压敏元件,压敏元件性能为V1mA/mm=0.8~3.0V,α=40~60,Ir=0.5~1.0μA;其中,导电膜片由ZnO中掺入Bi、Ti、Mn、Co、Ni、Zr、W、Al的氧化物中的至少3种氧化物制成,压敏膜片为在ZnO‑Bi2O3—Sb2O3 系或ZnO‑Bi2O3‑SnO2系氧化物中掺入 Co、Mn、Ni、W、Si、Zr、Al的氧化物至少4种制成的高α值的非线性指数压敏膜片。
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