[发明专利]拓扑绝缘体结构的制备方法

摘要

本发明涉及一种拓扑绝缘体结构的制备方法，包括：提供一钛酸锶基底；将该钛酸锶基底在分子束外延反应腔体中进行热处理，使该表面清洁；加热该钛酸锶基底并在该分子束外延反应腔体中同时形成Bi、Sb、Cr及Te的束流，并控制Bi、Sb、Cr及Te的束流的流量从而控制Bi、Sb、Cr及Te之间的比例，使Cr在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的空穴型载流子与Bi在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的电子型载流子基本相互抵消，从而在该钛酸锶基底的该表面形成磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1-x)2-yTe3表示，其中0

主权项

一种拓扑绝缘体结构的制备方法，包括：提供一钛酸锶基底，该钛酸锶基底具有(111)晶面的表面，该钛酸锶基底设置在压强小于1.0×10‑8 Pa的分子束外延反应腔体中；将该钛酸锶基底在该分子束外延反应腔体中进行热处理，使该表面清洁；加热该钛酸锶基底并在该分子束外延反应腔体中同时形成Bi、Sb、Cr及Te的束流，并控制Bi、Sb、Cr及Te的束流的流量从而控制Bi、Sb、Cr及Te之间的比例，使Cr在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的空穴型载流子与Bi在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的电子型载流子基本相互抵消，从而在该钛酸锶基底的该表面形成磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1‑x)2‑yTe3表示，其中0

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