[发明专利]列修复电路有效
| 申请号： | 201210555777.5 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103426481B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 朴洛圭 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 周晓雨,俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储装置的列修复电路，所述半导体存储装置包括多个存储区块，并且执行列修复操作以替换存储区块中提供的多个存储器单元之中的故障单元。所述列修复电路包括被配置为执行列修复操作的两个或更多个熔丝单元。熔丝单元中的每个包括多个熔丝，并且以m个存储区块与一个熔丝相对应或者n个存储区块与一个熔丝相对应的方式来配置，其中，m和n是等于或大于1并且彼此不同的自然数。 | ||
| 搜索关键词： | 修复 电路 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置的列修复电路，所述半导体存储装置包括多个存储区块，并且执行列修复操作以替换设置在所述存储区块中的多个存储器单元之中的故障单元，所述列修复电路包括:被配置成执行列修复操作的两个或更多个熔丝单元，组合存储区块地址发生单元，所述组合存储区块地址发生单元被配置成接收存储区块地址，并且产生以m个存储区块为单元组合而成的第一组合存储区块地址和以n个存储区块为单元组合而成的第二组合存储区块地址,其中，所述熔丝单元中的每个包括多个熔丝，并且以所述m个存储区块与一个熔丝相对应且所述n个存储区块与另一个熔丝相对应的方式来配置，其中，m和n是大于或等于1的自然数并且彼此不同。
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