[发明专利]非易失高抗单粒子的配置存储器单元无效
| 申请号： | 201210554804.7 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103021456A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 胡滨;李威;李平;翟亚红;刘俊杰;刘洋;辜科 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C16/02 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 非易失高抗单粒子的配置存储器单元，涉及集成电路技术。本发明包括组成4级DICE结构的8个MOS管、选通MOS管和PL板线，其特征在于，在DICE结构的4个节点中，至少有两个节点作为铁电连接节点，所述铁电连接节点是指通过铁电电容连接到PL板线的节点。本发明采用DICE结构加上铁电电容能够构成非易失的FPGA，从而相比SRAM型FPGA，省去了外部配置存储器，简化了系统，大幅增加非易失FPGA的抗单粒子能力。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失高抗单 粒子 配置 存储器 单元 | ||
【主权项】：
非易失高抗单粒子的配置存储器单元，包括组成4级DICE结构的8个MOS管、选通MOS管和PL板线，其特征在于，在DICE结构的4个节点中，至少有两个节点作为铁电连接节点，所述铁电连接节点是指通过铁电电容连接到PL板线的节点。
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