[发明专利]一种Fan-out Panel Level BGA封装件的制作工艺在审
申请号: | 201210542559.8 | 申请日: | 2012-12-15 |
公开(公告)号: | CN103094128A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 朱文辉;王虎;谌世广;刘卫东;谢建友 | 申请(专利权)人: | 华天科技(西安)有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710018 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种Fan-out Panel Level BGA封装件的制作工艺,该制作工艺按照如下步骤进行:晶圆减薄、晶圆划片、倒装上芯、塑封、撕膜和翻转、一次绝缘处理、打孔和铜布线、二次绝缘处理、打孔和镀镍钯金、印刷和回流焊、切割。与传统的封装技术相比,该技术不仅节约了成本,而且可实现多引脚、高密度、小型薄型化封装,具有散热性、电性能以及共面性好等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 fan out panel level bga 封装 制作 工艺 | ||
【主权项】:
一种Fan‑out Panel Level BGA封装件的制作工艺,其特征在于:其按照如下步骤进行:第一步、晶圆减薄:采用防止碎片工艺减薄到规定厚度;第二步、晶圆划片:厚度150μm以上晶圆采用普通划片工艺,厚度在150μm以下晶圆采用双刀划片机及其工艺;第三步、倒装上芯:倒装上芯前,将双面胶膜(7)粘附在表面足够光滑、平整的耐高温玻璃(11)上,其中,双面胶膜(7)的胶层厚度不宜大,须小于3um,胶膜正面需要提前标记上芯位置,设立眼点,将芯片(1)倒装上芯到耐高温玻璃(11)支撑的双面胶膜(7)上;第四步、塑封:将倒装上芯好的芯片(1)用塑封料(2)进行塑封,塑封区域应小于胶膜面积,方便撕膜;第五步、撕膜和翻转:手动撕膜,连带耐高温玻璃(11)一并去掉,必要时清洗芯片(1)正面的胶层残留,然后将塑封好的芯片(1)整体翻转180度;第六步、一次绝缘处理:在芯片(1)正面及其周围塑封料(2)上涂覆绝缘层(3),覆盖芯片(1)与其周围的塑封料(2)表面;第七步、打孔和铜布线:与芯片(1)的焊盘(8)的位置对应,在绝缘层(3)上打孔,然后再孔壁及其周围镀金属铜(4);第八步、二次绝缘处理:在绝缘层(3)与金属铜(4)上涂覆二次绝缘材料,形成二次绝缘层(9);第九步、打孔和镀镍钯金:与二次绝缘层(9)下面的金属铜(4)对应,在二次绝缘层(9)上打孔,并在孔壁周围镀一层镍钯金(5);第十步、印刷和回流焊:在二次绝缘层(9)的镍钯金(5)上进行钢网刷锡膏(10),然后进行回流焊,形成锡球(6);第十一步、切割回流后的产品进行切割入盘(管)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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