[发明专利]单斜相Ga2S3晶体的制备方法及其在光学上的应用有效
| 申请号： | 201210526093.2 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103484938B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 张明建;郭国聪;曾卉一;姜小明;范玉航;刘彬文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B1/10;C01G15/00;G02F1/355;G02F1/37;G02F1/39 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司11429 | 代理人： | 张晓霞 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单斜相的高温固相硼硫化制备方法，包括如下步骤Ga2O3、B和S按照123的摩尔比例混合研磨，压片装入真空石英管，以30～40℃/h的速率升温至850‑980℃，恒温48‑144小时，再以2～6℃/h的速率降温至250℃，洗掉副产物B2O3（优选用热水洗涤），制得单斜相Ga2S3微晶。本发明还提供一种单斜相Ga2S3晶体作为红外波段二阶非线性晶体材料的应用。该晶体具有大的非线性光学系数，倍频信号约为KTP的0.7倍，且在1910nm处相位匹配，在1064nm下激光损伤阈值为174MW/cm2，高于AGS和LIS，可作为良好的非线性光学晶体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 单斜 ga2s3 晶体 制备 方法 及其 光学 应用 | ||
【主权项】：
一种二元金属硫化物晶体材料的制备方法，所述金属硫化物的化学式为Ga2S3，单斜晶系，空间群为Cc，单胞参数为α＝90°，β＝121.15(9)°，γ＝90°，Z＝4，其特征在于：将Ga2O3、B和S按照摩尔比例为1∶2∶3进行混合研磨，压片封入真空石英管中，以一定的温度曲线处理得到单斜相Ga2S3产物，其中，所在真空石英管中所述处理温度为以30～40℃/h的速率升温至850‑980℃，恒温60或144小时，再以2～6℃/h的速率降温至250℃。
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