[发明专利]一种逆导型集成门极换流晶闸管

摘要

本发明公开了一种逆导型集成门极换流晶闸管，包括：GCT、FRD，以及GCT和FRD之间的隔离区。GCT在纵向由上至下依次包括GCT的阴极N+掺杂区、GCT的P型基区、N-衬底、N′缓冲层和GCT的P+阳极区。FRD在纵向由上至下依次包括FRD的P型基区、N-衬底、N′缓冲层和FRD的N+阴极区。N′缓冲层为GCT和FRD共用的N′缓冲层。在隔离区的上表面轻掺杂有一层N′杂质，N′杂质的掺杂浓度比N-衬底的掺杂浓度高出1～2个数量级。本发明利用杂质的补偿作用，在不改变隔离区P型掺杂分布的条件下，增加了隔离区的有效宽度，克服了现有技术存在的扩散控制精度不高、工艺复杂、不适用于高压器件的缺点。

主权项

一种逆导型集成门极换流晶闸管，其特征在于，包括：GCT（1）、FRD（2），以及GCT（1）和FRD（2）之间的隔离区（3）；GCT（1）在纵向由上至下依次包括GCT的阴极N+掺杂区（4）、GCT的P型基区（5）、N‑衬底（6）、N′缓冲层（7）和GCT的P+阳极区（8）；FRD（2）在纵向由上至下依次包括FRD的P型基区（10）、N‑衬底（6）、N′缓冲层（7）和FRD的N+阴极区（11）；N‑衬底（6）为GCT（1）和FRD（2）共用的N‑衬底；N′缓冲层（7）为GCT（1）和FRD（2）共用的N′缓冲层；隔离区（3）的上表面轻掺杂有一层N′杂质，N′杂质的掺杂浓度比N‑衬底（6）的掺杂浓度高出1～2个数量级。