[发明专利]基片刻蚀方法在审
| 申请号： | 201210509752.1 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103854992A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 李成强 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L33/00;C23F1/12;C30B33/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基片刻蚀方法，其包括以下步骤：向反应腔室内输入由氯气和氯化物气体混合的刻蚀气体；向反应腔室施加激励功率，以使所述刻蚀气体形成等离子体；向待处理基片施加偏压功率，以使所述等离子体刻蚀待处理基片。本发明提供的基片刻蚀方法可以减少甚至避免GaN槽底部的针状物的出现，从而提高工艺质量。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种基片刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：向反应腔室内输入由氯气和氯化物气体混合的刻蚀气体；向反应腔室施加激励功率，以使所述刻蚀气体形成等离子体；向待处理基片施加偏压功率，以使所述等离子体刻蚀待处理基片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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