[发明专利]一种直拉法生长低电阻率单晶硅用掺杂装置及掺杂方法有效
申请号: | 201210505550.X | 申请日: | 2012-11-30 |
公开(公告)号: | CN103849927A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 王学锋;邓德辉;高朝阳;曾泽红;郑沉;方峰 | 申请(专利权)人: | 有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司 |
主分类号: | C30B15/04 | 分类号: | C30B15/04;C30B29/06 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 郭佩兰 |
地址: | 100088 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种直拉法生长低电阻率单晶硅用掺杂装置,包括固定支架、盛料杯、导流管、卸料杯、锥形底托及连接杆,固定支架上开设有通孔;盛料杯穿过该通孔并由其外壁上的凸缘搭载在固定支架上,盛料杯的下端连接导流管;卸料杯呈两端开口的筒状,其外壁上设有凸缘,该卸料杯套设在该盛料杯内,并可以沿盛料杯的内壁上下移动;锥形底托的下端恰与卸料杯的内壁接触,并可沿卸料杯的内壁上下移动;连接杆的上端连接单晶炉的籽晶提拉轴,并通过连接件连接固定支架,连接杆的下端连接锥形底托的上端。掺杂剂经锥形底托与卸料杯间形成的缝隙流入盛料杯,并通过导流管流进硅熔体中,能避免气态掺杂元素逃逸损失,生长出低电阻率、高掺杂的单晶硅。 | ||
搜索关键词: | 一种 直拉法 生长 电阻率 单晶硅 掺杂 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种直拉法生长低电阻率单晶硅用掺杂装置,其特征在于,包括固定支架、盛料杯、导流管、卸料杯、锥形底托及连接杆,该固定支架包括支脚和支撑面,该支撑面上开设有通孔;该通孔周围的支撑面上对称分布数个连接孔;该盛料杯两端开口,其上端外壁上设有凸缘,下端呈漏斗形,该盛料杯穿过固定支架的通孔并由其外壁上的凸缘搭载在固定支架上,该盛料杯的下端连接导流管;该卸料杯呈两端开口的筒状,其外壁上设有凸缘,该卸料杯套设在该盛料杯内,并可以沿盛料杯的内壁上下移动;该锥形底托套设在卸料杯内,其下端恰与卸料杯的内壁接触,并可沿卸料杯的内壁上下移动;该连接杆的上端连接单晶炉的籽晶提拉轴,并通过数个连接件分别连接固定支架上的数个连接孔,该连接杆的下端连接锥形底托的上端。
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