[发明专利]一种高介电可调和可控介电常数的2-2复合结构陶瓷材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210496963.6 申请日: 2012-11-28
公开(公告)号: CN102992779A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 翟继卫;唐林江 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C04B35/622 分类号: C04B35/622;C04B35/468;C04B35/465;C04B35/20;C04B35/01
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 许亦琳;余明伟
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种高介电可调和可控介电常数的2-2复合结构陶瓷材料及其制备方法,由以下重量百分比的组分组成:Ba1-xSrxTiO3,x=0.4~0.6,10wt%~90wt%;Mg的化合物,10wt%~90wt%;所述Mg的化合物为MgO、Mg2TiO4或Mg2SiO4其中之一。首先将Ba1-xSrxTiO3粉体和Mg的化合物分别制成陶瓷浆料,然后制成陶瓷厚膜,干燥热处理后,得到不同厚度的陶瓷生带;再将两种陶瓷生带进行交错叠层,热压成块后等静压处理,再排粘后高温烧结即得,能适用于可调微波器件和电可调功能模块的设计开发。
搜索关键词: 一种 高介电可 调和 可控 介电常数 复合 结构 陶瓷材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高介电可调和可控介电常数的2‑2复合结构陶瓷材料,由以下重量百分比的物质组成:Ba1‑xSrxTiO3,x=0.4~0.6       10wt%~90wt%;Mg的化合物                     10wt%~90wt%;所述Mg的化合物为MgO、Mg2TiO4或Mg2SiO4其中之一。
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