[发明专利]发光二极管芯片有效
申请号: | 201210493715.6 | 申请日: | 2012-11-28 |
公开(公告)号: | CN102938437A | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
发明(设计)人: | 廖汉忠;吕志轩;李芳仪;郑惟纲;潘锡明 | 申请(专利权)人: | 璨圆光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 中国台湾桃园县龙*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种发光二极管芯片,其通过至少一贯穿主动层的凹槽,以及堆叠金属层结构分枝条状布置于发光二极管芯片表面,除了使主动层的所占面积大幅提升外,还能让电流均匀地流通,使主动层的发光效率也得到显著的增进,在发光二极管芯片的发光亮度上有优异的表现。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】:
一种发光二极管芯片,其特征在于,包括:一第一半导体层;一主动层,设于所述第一半导体层上方;一第二半导体层,设于所述主动层上方;及一堆叠金属层结构,设于所述第二半导体层上方,包括:一第一金属层,所述第一金属层通过一凹槽连接所述第一半导体层;一第二金属层,所述第二金属层设于所述第一金属层上方并连接一透明导电层;其中所述第一金属层与所述第二金属层间接重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于璨圆光电股份有限公司,未经璨圆光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210493715.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种制备高功率锂离子电池正极材料的方法
- 下一篇:扁平同轴线缆的制造方法