[发明专利]一种用于ESD保护的低压触发SCR器件

摘要

本发明公开了一种用于ESD保护的低压触发SCR器件。本发明创造采用第一PMOS和第二PMOS分别进行衬底触发和栅触发，从而降低SCR器件的触发电压。ESD脉冲信号施加在Anode和Cathode之间，第一PMOS和第二PMOS首先被触发导通，第一PMOS开通之后，给Nwell施加一触发电流，第二PMOS开通之后给第三PMOS施加一触发电压。第一PMOS施加的Nwell触发电流和第三PMOS的沟道电流触发晶闸管导通，晶闸管电流（SCRcurrent）导通大部分ESD电流，从而实现了ESD保护。

主权项

一种用于ESD保护的低压触发SCR器件，包括P型衬底（7），P型衬底（7）上设置N阱（6），其特征在于：设有第一PMOS（20）、第二PMOS（30）和第三PMOS（40）；在N阱（6）上设有第一N+注入区（1）和第一P+注入区（2），第一P+注入区（2）临近N阱（6）和P型衬底（7）的交界处；在P型衬底（7）上设有第二N+注入区（3）和第三P+注入区（4），第二N+注入区（3）临近N阱（6）和P型衬底（7）的交界处；第一P+注入区（2）接阳极，作为第三PMOS（40）的源，第二P+注入区（5）作为第三PMOS（40）的漏跨接在N阱（6）和P型衬底（7）之间；第一PMOS（20）栅接阳极，漏接阴极，源接N阱（6）的第一N+注入区（1），衬底接电路的Vdd；第二PMOS（30）栅接阳极，漏接阴极，源接第三PMOS（40）的栅，衬底接电路的Vdd；第二N+注入区（3）和第三P+注入区（4）均接阴极。