[发明专利]一种SOC芯片中的MMU的验证方法有效

专利信息
申请号: 201210468584.6 申请日: 2012-11-19
公开(公告)号: CN102999663A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 廖裕民 申请(专利权)人: 福州瑞芯微电子有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 代理人: 宋连梅
地址: 350000 福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 一种SOC芯片中的MMU的验证方法,包括:页表产生单元读入页表产生配置文件后产生页表文件,存储器模型将页表文件初始化进入MMU配置文件中指定的页表存放地址;专用电路行为产生模型自动读入专用电路配置文件,并根据专用电路配置文件发起读写传输行为;待验证MMU设计自动读入MMU配置文件,然后接受专用电路行为产生模型发起的传输行为,然后向存储器模型中的页表存储地址读取页表信息,进行虚实地址映射后发出映射后地址的传输行为;C模型代码读入原始地址文件和页表产生配置文件,产生期望映射后地址文件;文件比较单元自动读取实际映射后地址文件和期望映射后地址文件,然后将两个文件进行比较后输出结果是否正确的验证结果。
搜索关键词: 一种 soc 芯片 中的 mmu 验证 方法
【主权项】:
一种SOC芯片中的MMU的验证方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤1:填写专用电路配置文件,描述专用电路发起传输的行为;所述专用电路配置文件中,是配置专用电路发起传输的行为的配置信息;步骤2:填写MMU配置文件,描述页表在存储器模型中的存放地址,页表大小的信息;所述MMU配置文件,包含页表在存储器模型中的存放地址,页表大小的信息;所述存储器模型,负责存储数据,包含页表存储区和数据区,分别存放页表和运算源数据及运算结果数据;步骤3:填写页表产生配置文件,描述页表大小,虚实地址映射关系的页表信息,其中页表大小要和所述MMU配置文件中的页表大小信息一致;所述页表产生配置文件中,包含虚实地址映射关系的页表信息;步骤4:验证平台开始工作后,页表产生单元读入所述页表产生配置文件后产生用于存放于所述存储器模型中所需格式的页表文件,然后所述存储器模型将页表文件初始化进入所述MMU配置文件中指定的页表存放地址;步骤5:专用电路行为产生模型自动读入所述专用电路配置文件,并根据所述专用电路配置文件发起读写传输行为,其中访问地址为随机地址;所述专用电路行为产生模型,负责根据专用电路配置文件发起读写传输行为的模型,用于模拟实际专用电路的传输行为;步骤6:待验证MMU设计自动读入所述MMU配置文件,然后接受所述专用电路行为产生模型发起的传输行为,然后向所述存储器模型中的页表存储地址读取页表信息,进行虚实地址映射后发出映射后地址的传输行为;步骤7:整个传输过程中,原始传输行为采集单元和实际传输行为采集单元始终采集所有的专用电路行为产生模型到待验证MMU设计,待验证MMU 设计到存储器模型之间的传输行为,并根据传输行为中的地址信息分别产生原始地址文件和实际映射后地址文件;步骤8:重复步骤4-步骤7,直到所有传输行为结束;步骤9:所有传输行为结束后,C模型代码读入原始地址文件和页表产生配置文件,根据页表产生配置文件中的映射信息将原始地址文件的虚地址转为映射后的实地址,并产生期望映射后地址文件;步骤10:文件比较单元负责自动读取实际映射后地址文件和期望映射后地址文件,然后将两个文件进行比较后输出结果是否正确的验证结果。
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