[发明专利]一种像素电极结构、阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201210466764.0 | 申请日: | 2012-11-16 |
公开(公告)号: | CN102937763A | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
发明(设计)人: | 林允植;田正牧 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种像素电极结构及包括该像素电极结构的阵列基板和显示装置,属于显示技术领域。为了消除ADS驱动模式下的显示技术中经常出现的色偏现象,本发明所提供的像素电极结构中,所述蓝色子像素电极单元中电极大小与电极间距的比例设置为大于所述红色子像素电极单元及绿色子像素电极单元,由此使得蓝色像素的像素电极的隙缝设计得与红色像素及绿色像素不同,即将其设计得具备有较高的透过率,从而克制红光像素的透过率过大,解决在中间色调中因折射率的各向异性增加而导致的透过区域内出现的偏黄的色偏现象,进而可以制作出画质优秀的半透半反式LCD。 | ||
搜索关键词: | 一种 像素 电极 结构 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种像素电极结构,所述像素电极结构包括N个子像素电极单元,所述N个子像素电极单元分别对应彩膜N色模式中的其中一个颜色,对应显示不同的色光,其特征在于,所述N个子像素电极单元中各自的电极宽度与电极间夹缝宽度之和不同,其中N≥2。
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