[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

摘要

本发明提供一种LED芯片及其制备方法，提供一半导体衬底，依次在半导体衬底表面上外延生长布拉格反射层、发光外延结构、窗口缓冲层、窗口层，而后在窗口层上表面依次制作透明导电层和第一电极，并在半导体衬底的背面制作第二电极。与现有的在发光外延结构上使用单一窗口层的LED芯片而言，本发明增加一材料相同但厚度小于窗口层的窗口缓冲层，其中，该窗口缓冲层的外延生长温度及外延生长速率均小于窗口层，由于在低温低速的环境下外延生长，因此该窗口缓冲层的质量缺陷小于窗口层的质量缺陷，从而保证后续生长的窗口层质量缺陷降低，实现利用窗口层提升电流均匀扩散的同时减少窗口层的吸光的目的，从而进一步提高LED芯片的外部量子效率。

主权项

一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，依次在所述半导体衬底表面上外延生长N型外延层、有源层、及P型外延层，以形成发光外延结构；2）在第一温度下，以第一流量通入Ga源，在所述发光外延层结构上表面外延生长具有第一厚度的P型GaP窗口缓冲层；3）升高反应温度至第二温度后，以第二流量通入Ga源，在所述窗口缓冲层上表面外延生长具有第二厚度的P型GaP窗口层，其中，所述第二流量大于第一流量，所述第二厚度大于第一厚度，且所述第二厚度至少大于0.8μm； 4）在所述窗口层上表面依次制作透明导电层和第一电极，并在所述半导体衬底的背面制作第二电极。