[发明专利]一种形成氧化层的方法有效
| 申请号： | 201210455294.8 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103811421A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 陈金园 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成氧化层的方法，应用于半导体制造领域的CMOS管场氧化层形成过程中，所述方法包括：向置放有已经形成N阱、P阱的第一CMOS管半成品的加工炉中通入符合第一预定条件的第一气体，对所述第一CMOS管半成品进行干氧氧化，获得第二CMOS管半成品；向所述加工炉中通入符合与所述第一预定条件不同的第二预定条件的第二气体，对所述第二CMOS管半成品进行湿氧氧化，获得第三CMOS管半成品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 氧化 方法 | ||
【主权项】：
一种形成氧化层的方法，应用于CMOS管场氧化层形成过程中，其特征在于，所述方法包括：向置放有已经形成N阱、P阱的第一CMOS管半成品的加工炉中通入符合第一预定条件的第一气体，对所述第一CMOS管半成品进行干氧氧化，获得第二CMOS管半成品，其中，所述第二CMOS管半成品的所述N阱与所述P阱之间用于形成场氧化层的第一区域形成有第一氧化层；向所述加工炉中通入符合与所述第一预定条件不同的第二预定条件的第二气体，对所述第二CMOS管半成品进行湿氧氧化，获得第三CMOS管半成品，其中，所述第三CMOS管半成品的所述第一区域形成有第二氧化层，所述第二氧化层是在所述第一氧化层的基础上增加了氧化层的厚度而形成的氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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