[发明专利]高压变频低电压穿越方法有效
| 申请号： | 201210454894.2 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103023064A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 唐韦韦;杨春正;蔡珊珊;赵娟;沈庆;赵洁;栾振虎;姚俊;马志保 | 申请（专利权）人： | 安徽颐和新能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02J3/38 | 分类号： | H02J3/38;H02J9/00 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 247000 安徽省池州市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压变频低电压穿越方法，包括单向导通电路和电容储能电路，所述单向导通电路由两个二极管组成，电容储能电路由三组电容器组成，直流母线上的电压通过单向导通电路给电容储能电路充电，电容储能电路给控制部分供电，单向导通电路在电网电压短时间故障，引起电压跌落时，使电容储能电路不向直流母线放电，保持控制电路部分正常工作，驱动IGBT导通，如果电流冲击过大时，控制部分调整IGBT导通的占空比，使电路恢复正常工作。本发明具有工作可靠、功耗低、成本小等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 变频 电压 穿越 方法 | ||
【主权项】：
一种高压变频低电压穿越方法，其特征在于：包括有单向导通电路和电容储能电路，所述的单向导通电路由二极管D1和D2组成，所述的电容储能电路由电容C3、C4和C5组成，所述的二极管D1的阳极接在直流母线正极上，阴极上串联所述的电容C3、C4和C5，然后再接二极管D2的阳极，二极管D2的阴极接在直流母线的负极上，在直流母线的正、负极之间连接有由四个IGBTQ1、Q2、Q3和Q4组成的桥式电路，所述的IGBTQ1、Q2、Q3和Q4上分别并联有二极管D3、D4、D5和D6，桥式电路前端还并联有电容C和串联连接的电容C1、C2，所述的电容储能电路和桥式电路均连接控制部分，直流母线上的电压通过单向导通电路给电容储能电路充电，电容储能电路不向直流母线放电，电容储能电路给控制部分供电，在电网电压短时间故障，引起电压跌落时，使电容储能电路不向直流母线放电，保持控制部分正常工作，驱动IGBT导通；当电网恢复时，当电流冲击不大时，整个系统按照正常情况连续运行，当电流冲击过大时，控制部分调整IGBT导通的占空比，使电路恢复正常工作。
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